Alfred Vollmer de Bodo’s Power Systems a discuté avec Michael Sleven de Sanan Semiconductor des nouvelles technologies MOSFET et de ce que l’avenir réserve pour le SiC et le GaN.
Cet article est publié par pÉlectrique dans le cadre d’un partenariat de contenu numérique exclusif avec Bodo’s Power Systems.
Sanan Semiconductor est passé d’une pure fonderie à une entreprise de conception et production de semi-conducteurs verticalement intégrée, qui expédie également des composants qualifiés pour l’automobile. Alfred Vollmer de Bodo’s Power Systems a discuté avec Michael Sleven, Vice-président des ventes Europe chez Sanan Semiconductor, des nouveaux MOSFET et d’une coentreprise, des méga-usines, et de ce que l’avenir réserve pour le SiC et le GaN.
Alfred Vollmer : Sanan lance sa troisième génération de MOSFET SiC. Quelles caractéristiques techniques peut-on attendre ?
Michael Sleven : Nous allons lancer plus de MOSFET dans notre Gen 2 et nos nouveaux MOSFET SiC à structure trench de Gen 3 tout au long de 2024. Nous disposerons d’un portefeuille complet répondant aux normes AEC Q101 pour les applications industrielles et automobiles. Avec notre plateforme de l’amincissement des tranches de 120 µm, nous utilisons des substrats fortement dopés en n. Les dispositifs montrent une densité de courant élevée et des pertes très faibles. Le compromis entre Ronsp (mΩ/mm2) et le pas de cellule (µm) est absolument compétitif. En plus des MOSFET, nous avons complété notre portfolio de SBD. En plus de nos SBD Gen 3 pour les applications de puissance générales, nous avons commencé à servir notre Gen 4 avec un Vf très faible et Gen 5 avec une capacité de courant de surtension accrue.
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Vollmer : Sanan et STMicroelectronics ont annoncé une coopération sur le SiC. Que peut-on attendre de cette collaboration ?
Sleven : Dans le cadre de cette coentreprise, nous avons construit une nouvelle méga-usine verticale en ligne avec un investissement de 3,2 milliards de dollars. Cette usine commencera la production de masse d’ici la fin de 2025 et servira environ 520 000 tranches de 8 pouces exclusivement pour ST Microelectronics en 2028. Cette JV est une étape majeure pour établir Sanan comme un partenaire fiable et innovant pour les semi-conducteurs composés de haute qualité. En plus de la nouvelle usine pour ST à Chongqing, nous avons les méga-usines à Xiamen et Quanzhou avec une capacité de production mensuelle de 30 000 tranches chacune. Notre toute nouvelle usine à Changsha a une capacité de production de 360 000 tranches de 6 pouces et 400 000 tranches de 8 pouces par an. Nous sommes prêts à commencer la production avec des tranches de 8 pouces pour le GaN si nécessaire. Nous sommes donc bien préparés pour répondre à la demande du marché.
Vollmer : Sanan Semiconductor est actif dans les semi-conducteurs SiC et GaN. Quelles sont vos compétences principales ?
Sleven : Sanan Semiconductor a plus de 20 ans d’expérience avec les semi-conducteurs composés et différents matériaux, notamment pour les applications automobiles. Nous livrons de grandes quantités avec une qualité stable de nos méga-usines. Récemment, nous avons commencé un voyage tendu pour augmenter notre portfolio avec des modules et des boîtiers discrets finaux en plus de notre activité de fonderie. Nous avons plus de 350 brevets uniquement avec les applications SiC en main, donc notre degré d’innovation est l’une de nos compétences principales.
Nous avons l’une des plus grandes usines SiC en ligne verticale au monde, couvrant les matériaux de substrat, la croissance épitaxiale, la fabrication de puces, l’assemblage, les tests, et d’autres sections. Nos produits GaN sont fabriqués sur nos propres substrats SiC. Donc, nous maîtrisons chaque étape du processus. Cela nous rend rapides et capables d’offrir des prix attractifs à nos clients. Les énormes capacités de production de Sanan permettent une offre stable.
Michael Sleven, Vice-président des ventes Europe, Sanan Semiconductor. Image utilisée avec l’autorisation de Bodo’s Power Systems [PDF]
Vollmer : Comment prévoyez-vous l’évolution du marché automobile ?
Sleven : Le marché des semi-conducteurs composés a complètement changé ces dernières années. Dans l’automobile, nous avons une dynamique élevée combinée à des exigences strictes pour des densités de courant plus élevées et des réductions de coûts. Aujourd’hui, nous servons la plupart de nos pièces SiC aux OEM et Tier, et le potentiel de croissance pour les prochaines années est incroyablement élevé. Pour les chargeurs embarqués et les onduleurs de transmission, le SiC est le meilleur choix aujourd’hui. Pour augmenter notre activité en Europe, nous avons établi une nouvelle équipe expérimentée pour le marché européen afin de soutenir nos clients avec des calculs et des simulations pour définir les bonnes technologies et pièces. Nos FAE ont une bonne connaissance des systèmes d’applications, et le temps de réponse rapide de notre équipe est également la clé de notre succès. Le marché automobile sera le plus grand marché à l’avenir, et chez Sanan, nous suivons complètement la méthodologie d’audit de processus VDA 6.3, et nous sommes entièrement qualifiés en ce qui concerne l’IATF 16949.
Vollmer : Outre l’automobile, quelles applications ont le plus de potentiel pour les semi-conducteurs WBG ?
Sleven : Le marché photovoltaïque est un domaine principal en plus de l’automobile. Les programmes d’efficacité énergétique dans le monde entier, principalement pilotés par les gouvernements, sont des facteurs d’accélération. En Asie seulement, nous avons plus de 200 clients différents travaillant avec le photovoltaïque. Les demandes actuelles des clients que nous voyons en Europe montrent de bonnes opportunités pour nous de croître continuellement.
Vollmer : À quoi ressemble la demande de GaN ?
Sleven : Le développement commercial avec le GaN est prometteur. La croissance de la demande est plus élevée qu’avec le SiC en pourcentage, bien sûr à un niveau différent. Je vois une forte demande pour les pièces GaN pour les alimentations et les applications de serveurs, mais pour les applications à forte puissance comme les onduleurs pour transmissions, le SiC reste le meilleur choix.
Cet article est apparu à l’origine dans Bodo’s Power Systems [PDF] magazine.